Перевод: с английского на все языки

со всех языков на английский

semiconductor-metal-semiconductor structure

См. также в других словарях:

  • metal-insulator-semiconductor structure — metalo dielektriko puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal insulator semiconductor structure vok. Metall Isolator Halbleiter Struktur, f rus. структура металл диэлектрик полупроводник, f pranc. structure …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • metal-nitride-semiconductor structure — metalo nitrido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride semiconductor structure vok. Metall Nitrid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид полупроводник, f pranc. structure métal… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • metal-oxide-semiconductor structure — metalo oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл оксид полупроводник, f pranc. structure métal oxyde semi… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • metal-alumina-oxide-semiconductor structure — metalo aliuminio ir silicio oksidų puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal alumina oxide semiconductor structure vok. Metall Al₂O₃ SiO₂ Struktur, f; Metall Aluminiumoxid und Siliziumoxid Struktur, f rus …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • metal-nitride-oxide-semiconductor structure — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • complementary metal-nitride-oxide-semiconductor structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • double-diffused metal-nitride-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • double-diffused metal-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • bulk metal-insulator-semiconductor structure — tūrinis MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk metal insulator semiconductor structure; bulk MIS structure vok. Volumen Metall Isolator Halbleiter Struktur, f; Volumen MIS Struktur, f rus. объёмная МДП структура, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • semiconductor device — ▪ electronics Introduction       electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… …   Universalium

  • structure MNOS complémentaire — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… …   Radioelektronikos terminų žodynas

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»